活性自由基聚合是通過(guò)可逆活化來(lái)實(shí)現(xiàn)活性聚合的,這是一種功能強(qiáng)大的聚合物制備方法,可以精確地控制聚合物結(jié)構(gòu),制備出窄分子量分布的聚合物,常用的方法包括氮氧調(diào)控自由基聚合(NMP)、可逆加成-斷裂鏈轉(zhuǎn)移聚合(RAFT)、原子轉(zhuǎn)移自由基聚合(ATRP)等。

最近,研究者提出了一種光引發(fā)的活性自由基聚合,利用光源(LED、激光等)激發(fā)光活性催化劑以實(shí)現(xiàn)自由基聚合,上述幾種活性自由基聚合方法都可以在光的引發(fā)下實(shí)現(xiàn)可控聚合。光引發(fā)的活性自由基聚合最吸引人的地方在于可以在時(shí)間和空間上控制聚合的發(fā)生,這種控制通過(guò)光的照射和停止就能輕松實(shí)現(xiàn),更重要的是這種方法在微納米制造領(lǐng)域具有廣闊的引用前景。但是之前的研究?jī)H能在微米尺度上實(shí)現(xiàn)聚合的可控和材料的制備。

成果介紹

基于以上分析,斯特拉斯堡大學(xué)Olivier?Soppera教授課題組發(fā)現(xiàn)在激光的照射下金納米顆粒表面附近呈現(xiàn)出電磁場(chǎng)增強(qiáng)效應(yīng),他們以銥絡(luò)合物Ir(piq)2(tmd)為光催化劑,在金納米顆粒表面實(shí)現(xiàn)了光引發(fā)的丙烯酸酯單體ATRP聚合,聚合表現(xiàn)出活性特征,無(wú)需補(bǔ)加銥絡(luò)合物就能實(shí)現(xiàn)第二單體的聚合?;诠庖l(fā)的ATRP聚合,研究者可以在納米級(jí)尺度上精確控制顆粒表面聚合物層的厚度:經(jīng)過(guò)兩次激光照射后,聚合物層的厚度分別為1.24nm±0.55nm和2.16nm±0.70nm。此外,研究者還發(fā)現(xiàn)金顆粒表面聚合物的分布與顆粒近場(chǎng)電磁場(chǎng)增強(qiáng)效應(yīng)分布非常吻合:在顆粒赤道處以及顆粒下部與襯底之間聚合物最厚,在“北極”處沒(méi)有聚合發(fā)生。經(jīng)計(jì)算發(fā)現(xiàn)在聚合物層中銥絡(luò)合物的濃度為每100?nm3一個(gè)分子,2 nm厚的聚合物殼層中有80?個(gè)絡(luò)合物分子。本文的研究可以實(shí)現(xiàn)納米顆粒表面的精確修飾,在納米傳感器和生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。

《Materials Today》:鬼斧神工!光誘導(dǎo)ATRP完美制備出納米級(jí)分辨率的納米雜化復(fù)合材料
光引發(fā)聚合制備納米雜化材料的過(guò)程

 

《Materials Today》:鬼斧神工!光誘導(dǎo)ATRP完美制備出納米級(jí)分辨率的納米雜化復(fù)合材料
圖1. (a)銥絡(luò)合物Ir(piq)2(tmd),季戊四醇三丙烯酸酯(PETA)和三羥甲基丙烷三丙烯酸酯(TMPTA)的化學(xué)結(jié)構(gòu);(b)通過(guò)光引發(fā)ATRP制備雜化納米顆粒的示意圖:(1)將43 nm的金納米顆粒沉積到TEM網(wǎng)格上,(2)在TEM網(wǎng)格上滴一滴聚合溶液,并進(jìn)行光照射,(3)樣品用TEM表征,(4)不加入光引發(fā)劑,加入第二單體進(jìn)行第二次光照射,(5)第二層聚合共價(jià)連接到第一層聚合上;(c)光引發(fā)ATRP的光誘導(dǎo)機(jī)制;(d)在第一次和第二次光聚合之后納米顆粒表面示意圖。

 

研究者以銥絡(luò)合物(雙(1-苯基異喹啉基-N,C20)銥(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酸酯),Ir(piq)2(tmd)為光活性催化劑,以烷基溴化物為引發(fā)劑,以季戊四醇三丙烯酸酯(PETA)、三丙烯酸三羥甲基丙烷酯(TMPTA)和丙烯酸2,2,3,4,4,4-六氟丁基丙烯酸酯(HFBA)為單體,以直徑43 nm的球形金顆粒為金屬粒子在NdYAG激光(532 nm,6 W)照射下進(jìn)行聚合反應(yīng)。

研究者認(rèn)為在金納米顆粒存在下,光聚合的機(jī)理為銥絡(luò)合物在吸收光能量后被激發(fā),隨后還原烷基溴化物產(chǎn)生自由基,引發(fā)丙烯酸酯單體聚合,氧化態(tài)的銥絡(luò)合物(IrIVBr)與增長(zhǎng)的自由基反應(yīng),再次生成最初的銥絡(luò)合物IrIII和溴封端的休眠聚合物鏈,這個(gè)過(guò)程不斷循環(huán)實(shí)現(xiàn)了單體的活性自由基聚合。當(dāng)完成第一單體聚合后,銥絡(luò)合物仍然能進(jìn)行第二單體的光引發(fā)聚合。由于體系中銥絡(luò)合物的濃度僅為1wt%,不會(huì)影響這一材料的后續(xù)應(yīng)用。

金納米顆粒附近的近場(chǎng)增強(qiáng)效應(yīng)

《Materials Today》:鬼斧神工!光誘導(dǎo)ATRP完美制備出納米級(jí)分辨率的納米雜化復(fù)合材料
圖2. (a)不同功率密度下的閾值時(shí)間(tT,黑色部分)和閾值能量(ET,綠色三角形);(b)光聚合體系的紫外可見消光光譜;(c和d)通過(guò)邊界元(BEM)法模擬一個(gè)金納米顆粒附近的場(chǎng)增強(qiáng)|Enf/Eincident|2平方模量的分布,其中(c)為俯視圖,(d)為側(cè)視圖;(e)在密度功率為(1)2.5 mW/cm2,(2)4.8 mW/cm2,(3)7.2 mW/cm2和(4)9.9 mW/cm2下第一次照射后納米顆粒的TEM圖像。

 

納米顆粒周圍的場(chǎng)增強(qiáng)效應(yīng)并非均勻存在,研究者采用邊界元(BEM)法模擬了一個(gè)金顆粒附近光學(xué)近場(chǎng)的增強(qiáng)和空間分布,發(fā)現(xiàn)在金顆粒的赤道平面(xy)中,電磁場(chǎng)表現(xiàn)出與光激發(fā)一致的圓形對(duì)稱性,在距離為r=R+0.5 nm(R為金顆粒半徑)處,增強(qiáng)因子EF的平方等于28.3,粒子頂部的場(chǎng)增強(qiáng)最?。‥F=2.8),高折射率襯底(Si3N4)的存在會(huì)導(dǎo)致顆粒下部的場(chǎng)增強(qiáng)。在顆粒附近的場(chǎng)增強(qiáng)效應(yīng)越強(qiáng),聚合速率越高,聚合物層越厚。

金納米顆粒上單體的二次聚合

《Materials Today》:鬼斧神工!光誘導(dǎo)ATRP完美制備出納米級(jí)分辨率的納米雜化復(fù)合材料
圖3. (1)在7.2 mW/cm2和90%照射閾值(輻射時(shí)間:0.9 s)下首次照射后,兩個(gè)43 nm金顆粒的TEM圖(a-b,d-e,g-h),第二次輻照(2)7.2 mW/cm2持續(xù)3000 s,(3)7.2 mW/cm2持續(xù)600 s,(4)35 mW/cm2持續(xù)600 s;(c,f,i)光聚合物厚度直方圖和高斯擬合分布圖,(c)為(1)和(2)統(tǒng)計(jì)結(jié)果,(f)為(1)和(3)統(tǒng)計(jì)結(jié)果,(i)為(1)和(4)統(tǒng)計(jì)結(jié)果。

 

為了驗(yàn)證聚合的活性特征,研究者在第一步光照實(shí)現(xiàn)單體聚合的基礎(chǔ)上,不加入額外的光引發(fā)劑,直接進(jìn)行第二次光照聚合。

研究者以TMPTA為第二單體,第二次照射的功率密度與第一次相同,均為7.2mW/cm2,照射時(shí)間為3000s。在TEM中清楚地顯示出聚合物殼層厚度的增加,說(shuō)明成功進(jìn)行了第二單體的聚合,經(jīng)過(guò)統(tǒng)計(jì)分析發(fā)現(xiàn)第一次和第二次照射后,金顆粒表面聚合物層的厚度分別為1.24nm±0.55nm和2.16nm±0.70nm。

金納米顆粒周圍聚合物的空間分布

《Materials Today》:鬼斧神工!光誘導(dǎo)ATRP完美制備出納米級(jí)分辨率的納米雜化復(fù)合材料
圖4. (a)有兩個(gè)光聚合物殼層的金顆粒示意圖,藍(lán)色箭頭表示旋轉(zhuǎn)軸,紅色箭頭表示傾斜方向:(1)傾斜(b)0°,(c)10°,d)20°,(e)30°,(f)40°,(g)50°和(h)60°后,相同金顆粒的TEM圖像,比例15 nm;(2)TEM圖像,聚合物以藍(lán)色突出顯示;(3)傾斜金顆粒示意圖。

研究者采用可傾斜的TEM斷層掃描技術(shù)研究了金顆粒周圍聚合物的空間分布。在BEM模擬中,研究者發(fā)現(xiàn)金顆粒周圍的場(chǎng)增強(qiáng)效應(yīng)分布不均勻:在顆粒赤道處以及顆粒下部與襯底之間增強(qiáng)效應(yīng)更顯著,在顆粒頂部場(chǎng)強(qiáng)幾乎為零。

在兩次聚合后,研究者發(fā)現(xiàn)在顆粒赤道處聚合物殼層較厚,當(dāng)顆粒傾斜后聚合物的厚度下降,傾斜30°后,聚合物層消失,在顆?!氨睒O”處沒(méi)有發(fā)現(xiàn)聚合物,顆粒下部有聚合物,但是數(shù)量少于赤道處,說(shuō)明聚合物不是均勻地分布在顆粒表面,而是與計(jì)算的顆粒周邊電磁場(chǎng)空間分布相吻合。經(jīng)計(jì)算發(fā)現(xiàn),每100 nm3有一個(gè)銥絡(luò)合物分子,2 nm厚的聚合物殼層有80?個(gè)絡(luò)合物分子。

金顆粒形狀對(duì)近場(chǎng)光聚合的影響

《Materials Today》:鬼斧神工!光誘導(dǎo)ATRP完美制備出納米級(jí)分辨率的納米雜化復(fù)合材料
圖5. (a)43 nm金納米球二聚體和(b和c)三聚體的TEM圖像;(d)57 nm立方體型金顆粒的TEM圖像;(e和f)43 nm金納米球的TEM圖像,第一次照射功率7.2 mW/cm2,第二次為35 mW/cm2,照射時(shí)間600 s,第二單體用(2)TMPTA或(3)氟化單體HFBA;(g)HFBA氟化丙烯酸酯單體的化學(xué)結(jié)構(gòu);(h)在條件(1)和(3)照射后的雙層聚合物示意圖。

 

研究者發(fā)現(xiàn)光聚合可以在不同結(jié)構(gòu)的金顆粒表面實(shí)現(xiàn),如金納米顆粒的二聚、三聚體以及和立方型納米顆粒。在二聚體顆粒中,兩個(gè)顆粒之間的間隙具有最大的場(chǎng)增強(qiáng)效應(yīng),正如預(yù)期的那樣,聚合物殼層在這一部位最厚;在三聚體顆粒中,金顆粒接觸位置場(chǎng)最強(qiáng),聚合物同樣也最厚;在圖(c)中的封閉三聚體中,雖然很難從TEM圖像認(rèn)定三個(gè)顆粒交界處是否存在聚合物,但可以肯定的是,三聚體周圍存在聚合物,在交界處厚度也最大。在立方體型納米顆粒中,在立方體的側(cè)面形成了聚合物,但是在頂部沒(méi)有聚合發(fā)生,這說(shuō)明這種方法可以選擇性的僅對(duì)立方體的側(cè)面進(jìn)行功能化修飾,這有利于形成具有特殊功能的納米雜化復(fù)合物。

以上的研究采用的PETA和TMPTA單體具有類似的化學(xué)結(jié)構(gòu),當(dāng)采用含氟的HFBA第二單體時(shí),可以改變第二聚合物層的接觸角,從而可以改變金納米顆粒的表面化學(xué)性質(zhì)。

小結(jié)

斯特拉斯堡大學(xué)Olivier Soppera教授課題組以銥絡(luò)合物Ir(piq)2(tmd)為光催化劑,在金納米顆粒表面實(shí)現(xiàn)了丙烯酸酯單體的光引發(fā)ATRP聚合。研究發(fā)現(xiàn)當(dāng)銥絡(luò)合物濃度為1%時(shí),基于光誘導(dǎo)下的氧化還原機(jī)理,聚合表現(xiàn)出活性特征。當(dāng)光密度為7.2mW/cm2時(shí),研究者依次實(shí)現(xiàn)了PETA和TMPTA的聚合,分別在金顆粒表面精確制備出厚度為1.24nm±0.55nm和2.16nm±0.70nm的聚合物層。

基于TEM斷層掃描技術(shù),研究者發(fā)現(xiàn)聚合物在顆粒表面的分布與顆粒周圍電磁場(chǎng)增強(qiáng)效應(yīng)分布十分吻合:在顆粒赤道處以及顆粒下部與襯底之間增強(qiáng)效應(yīng)顯著,聚合速率高,在顆?!氨睒O”處場(chǎng)強(qiáng)幾乎為零,因此在顆粒赤道處聚合物殼層較厚,在“北極”處沒(méi)有聚合發(fā)生。不僅如此,在二聚體和三聚體顆粒中,在交界面處聚合物層也由于增強(qiáng)的場(chǎng)效應(yīng)而最厚,令人感到驚奇的是,當(dāng)金顆粒為立方體結(jié)構(gòu)時(shí),聚合可以選擇性僅在側(cè)面發(fā)生。當(dāng)將第二單體變?yōu)榉鷨误w后,可以改變金顆粒表面的化學(xué)特性。

原文鏈接:

https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1369702120301000

相關(guān)新聞

微信
微信
電話 QQ
返回頂部