具有一維結(jié)構(gòu)特性的碳納米管(CNT)自從上世紀90年代初被首次制備和報道出來就一直是納米材料界的明星材料,經(jīng)過近30年的發(fā)展和研究,目前在很多領(lǐng)域顯示出了巨大的應(yīng)用潛力。同時,隨著高尖端科技的進步和發(fā)展,工業(yè)生產(chǎn)中對高密度、高性能和高能量效率的場效應(yīng)晶體管(FETs)的需求也越來越緊迫。然而目前使用的基于金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOS)FETs很難順應(yīng)未來集成電路(IC)高集成化和微型化的發(fā)展趨勢,因此亟需開發(fā)出新的FETs。2020年5月22日,最新的一期Science雜志連續(xù)刊登了三篇關(guān)于CNT在FETs領(lǐng)域的研究進展!在這里,小編就帶領(lǐng)大家一睹為快,看看有哪些突破性的進展吧!

1.高規(guī)整度、高密度碳納米管半導(dǎo)體陣列

CNT具有一維結(jié)構(gòu)以及納米級尺寸可調(diào)的特性,因此在很早之前就被研究用于替代硅基FETs了。但是由于CNT的純度,制備得到的FETs中CNT的密度和排列規(guī)整度這些問題始終得不到解決,因此限制了CNT基FETs的大規(guī)模制備和應(yīng)用。為了解決這一問題,北京大學(xué)彭練矛院士研究團隊聯(lián)合張志勇教授研究團隊首先開發(fā)了多重分散和分選方法制備得到了用于制備FETs的高純度CNT;然后采用尺寸限制自動排列的方法在10?cm硅晶圓基底上制備得到了排列良好且密度可調(diào)(每微米排列數(shù)量介于100~200之間)的CNT陣列。在閘極長度相同條件下,基于此CNT整列制備的FETs顯示出了比商用硅基FETs更優(yōu)異的性能——在1V的電壓條件下,通態(tài)電流達到1.3?mA·um-1,跨導(dǎo)達到了創(chuàng)記錄的0.9?mS·um-1。同時,在使用離子液體作為柵極時可以保持較低的室溫閾下擺動(<90mV/十年)。除此之外,批量制作的頂部柵五級環(huán)形振蕩器顯示出最高的最大振蕩頻率可以大于8 GHz。因此,這種基于CNT陣列的場效應(yīng)晶體管在未來的微電子領(lǐng)域顯示出了極大的應(yīng)用潛力。這一研究成果以題為“Aligned, high-density semiconducting carbon nanotube arrays for high-performance electronics”發(fā)表在《Science》上。

碳納米管過氣了?北大/哈佛一口氣發(fā)3篇《Science》,在碳納米管研究領(lǐng)域取得重大突破

原文鏈接:

https://science.sciencemag.org/content/368/6493/850

 

2.在三維DNA納米溝槽中制備精確的碳納米管陣列

正如前面所言,制備CNT基場效應(yīng)晶體管的難度在于CNT陣列的高密度和高規(guī)整度化。為了解決這一問題,哈佛大學(xué)和哈佛醫(yī)學(xué)院的的尹鵬(本科畢業(yè)于北京大學(xué))、Wei?Sun教授研究團隊合作開發(fā)了一種超分子組裝的方法來制備高密度和高規(guī)整度CNT陣列。具體地,研究人員首先利用單鏈DNA的自組裝作用構(gòu)建了具有規(guī)整陣列結(jié)構(gòu)的溝槽,隨后再對CNT進行表面進行“特異性修飾”,使這些修飾過的CNT能夠精準地躺進之前設(shè)計好的溝槽中,就可以得到間距小于10.4?nm,偏差角小于2°,組裝效率大于95?%的CNT陣列。這項研究以題為“Precise pitch-scaling of carbon nanotube arrays within three-dimensional DNA nanotrenches”發(fā)表在《Science》上。

碳納米管過氣了?北大/哈佛一口氣發(fā)3篇《Science》,在碳納米管研究領(lǐng)域取得重大突破

原文鏈接:

https://science.sciencemag.org/content/368/6493/874

 

3.DNA定向納米技術(shù)制備高性能CNT場效應(yīng)晶體管

與目前使用的光刻法相比,利用生物加工法制備的半導(dǎo)體納米陣列顯示出了更小的通道間距。然而,生物晶格中的金屬離子和亞微米尺寸特性導(dǎo)致了較差的傳輸性能差和大面積陣列均勻度的降低。為了解決這一問題,北京大學(xué)孫偉教授和廈門大學(xué)朱志教授研究團隊合作以DNA模板法制備的平行CNT陣列作為模型系統(tǒng),開發(fā)了一種先固定后沖洗(rinsing-after-fixing)的方法將基于CNT陣列的效應(yīng)晶體管關(guān)鍵傳輸性能指標提高了10倍以上(與以前的生物模板場效應(yīng)晶體管相比)。在研究中,作者使用空間受限的方法,在PMMA腔內(nèi)組裝了達到厘米級的CNT陣列。在高性能電子和生物分子自組裝的界面上,這種方法可以使可伸縮的生物模板電子產(chǎn)品的生產(chǎn)成為可能。該研究以題為“DNA-directed nanofabrication of high-performance carbon nanotube field-effect transistors”發(fā)表在《Science》上。

碳納米管過氣了?北大/哈佛一口氣發(fā)3篇《Science》,在碳納米管研究領(lǐng)域取得重大突破

原文鏈接:

https://science.sciencemag.org/content/368/6493/878

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